Crystal二极管性能参数最大整流电流IDM:二极管连续工作允许的最大正向电流；电流过大，二极管会因过热而烧坏；大电流整流可以配散热片,不知道你在问什么二极管,伏安特性当外加电压Uw方向为N→P时，Uw大于反向击穿电压，二极管击穿,二极管of伏安特性是指施加在二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系，用来定性描述二者关系的曲线称为/1220。
不知道你在问什么二极管？在普通锗材料的二极管的正常工作电流下，直流电压下降到0.2~0.3V左右；硅整流器二极管一般在0.5-0.8V之间，肖特基二极管0.3和0.6V .小电流下的压降很小，会低于上述的低电压。工作电流越大，电压降越高，大电流下的电压降可能超过上述电压值。
伏安特性当外加电压Uw方向为N→P时，Uw大于反向击穿电压，二极管击穿。二极管of伏安特性是指施加在二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系，用来定性描述二者关系的曲线称为/1220。Crystal 二极管性能参数最大整流电流IDM:二极管连续工作允许的最大正向电流；电流过大，二极管会因过热而烧坏；大电流整流可以配散热片。最大反向电压Urm:Urm一般小于反向击穿电压，所选规格以有余量的Urm为准；容易被过压损坏二极管。饱和电流为:二极管施加反向电压时的电流值；反向击穿前变化不大；是会随着温度的升高而升高的。一般来说，在室温下是硅管。
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